时间:2020-12-30日 来源: 作者:
长时记忆的脑形态学基础
传统记忆痕迹的最后一个观点,即长时记忆痕迹是突触或细胞的变化。虽然记忆痕迹理论形成时,人们对突触化学传递的知识还很少,但根据当代积累的科学知识,我们可以把这一论断归结为3方面含义:突触前的变化包括神经递质的合成、储存、释放等环节;突触后变化包括受体密度、受体活性、离子通道蛋白和细胞内信使的变化;形态结构变化包括突触的增多或增大。他们对比了生活环境、学习能力和脑结构变化的关系。这一研究足以说明脑形态结构与功能均具有很大的可塑性,学习记忆能力与脑结构变化有一定关系,但并不能精确说明长时记忆痕迹究竟与哪几项脑结构或突触变化有关。
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